| 摘要 |
1. Способ выращивания монокристаллов из расплава, включающий затравливание кристалла на затравочный кристалл, его вытягивание из расплава с разращиванием и заужением для образования перетяжек, разращивание кристалла, выращивание и охлаждение кристалла, отличающийся тем, что на этапах затравливания, образования перетяжек и частично разращивания область контакта кристалла с расплавом ограждают сбоку от основной массы расплава экраном, при погружении нижнего торца экрана в расплав весь экран фиксируется в этом положении опорой его верхнего торца на тигель, экран выполнен в виде отрезка полого профиля, и производят удаление экрана из расплава после того, как отношение диаметра разращиваемого кристалла к заданному диаметру кристалла достигает 0,1-0,5.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что экран подвешивается за отводы либо приливы его верхнего контура с возможностью вертикального перемещения экрана вверх вместе с кристаллом, затравочным кристаллом, затравкодержателем и верхним штоком при сохранении остальных элементов зоны кристаллизации неподвижными, при этом затравочный кристалл проходит внутри экрана. |
