用于增加可用平面表面积的半导体晶片处理方法

摘要

本发明提供了一种用于增加具有大致平坦表面而且其厚度方向与所述大致平坦表面成直角的半导体晶片的可用表面积的方法。该方法包括步骤：选择带厚度，以将晶片分割为多个带；选择一种用于与大致平坦表面成某个角度，将晶片切割为带的技术，其中带厚度与通过进行切割所切掉的晶片的宽度之和小于晶片的厚度；利用选择的技术，将晶片切割为带；以及将所述带互相分离。

主权项

一种用于制造太阳能电池的半导体产品，包括排列的半导体带和边框，其中多个所述半导体带被沟槽至少部分地彼此分离，所述沟槽在沟槽长度的至少一部分上一直延伸穿过晶片的厚度，所述边框位于所述排列的半导体带周围，其中所述半导体带被构造为当使用该半导体产品来制造太阳能电池时能够与所述边框分离。