发明名称 |
具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法 |
摘要 |
一种具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法,首先,形成至少二个栅极沟槽于基材内;然后,依序形成介电层与多晶硅结构于栅极沟槽内;随后,形成至少一个源极沟槽于相邻二个栅极沟槽之间;接下来,依序形成介电层与第二多晶硅结构于源极沟槽内,并且第二多晶硅结构位于源极沟槽的下部分;接下来,去除部分第二介电层以裸露源极区与本体区;最后,于源极沟槽内填入一导电结构,以电性连接第二多晶硅结构、本体区与源极区。本发明提供的具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法,可以有效缩减相邻栅极沟槽间的距离,以达到降低导通电阻的目的。 |
申请公布号 |
CN102956481B |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201110237501.8 |
申请日期 |
2011.08.18 |
申请人 |
科轩微电子股份有限公司 |
发明人 |
叶俊莹;许修文 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 |
代理人 |
姚垚;项荣 |
主权项 |
一种具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法,其特征在于,至少包括下列步骤:提供一基材;形成至少二个栅极沟槽于该基材内;形成一第一介电层覆盖所述栅极沟槽的内侧表面;形成一第一多晶硅结构于该栅极沟槽内;形成至少一个源极沟槽于相邻的该二个栅极沟槽之间;形成一第二介电层覆盖该源极沟槽的内侧表面;形成一第二多晶硅结构于该源极沟槽的下部分;形成一本体区于所述栅极沟槽间,该源极沟槽的深度大于该本体区的深度;形成一源极区于该本体区的上部分;去除部分该第二介电层以裸露该源极区与该本体区;以及于该源极沟槽内填入一导电结构,以电性连接该本体区与该源极区。 |
地址 |
中国台湾新北市 |