RFLDMOS中连接阱和基板的电连接结构及制造方法

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS中连接阱和基板的电连接结构及制造方法，在P型基板上生长P型外延；生长氧化硅热氧层，其上淀积氮化硅层；光刻和干刻形成场氧开口；淀积氧化硅阻挡层，光刻和干刻打开场氧开口处的氧化硅阻挡层，刻蚀P型外延至基板上形成沟槽；湿法去除氧化硅阻挡层，生长场氧；光刻和湿法刻蚀去除沟槽内的场氧，进行小角度大剂量P型离子注入；淀积非掺杂多晶硅；回刻去除氮化硅层上面的多晶硅；再次进行热氧化；光刻和湿法刻蚀去除沟槽上的热氧化层，向沟槽内的多晶硅垂直注入P型离子；进行热开销使注入离子扩散。本发明降低了电阻，完全满足MOS管接地端通过硅晶片背面引出的要求，并降低接地金属连线引起的高电感对射频性能的影响。

主权项

一种RFLDMOS中连接阱和基板的电连接结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在P型基板上进行P型外延生长；在P型外延上生长氧化硅热氧层，在氧化硅热氧层上淀积氮化硅层，所述氮化硅层的厚度大于氧化硅热氧层的厚度；进行光刻和干刻形成场氧开口；步骤二，淀积氧化硅阻挡层，光刻和干刻打开场氧开口处的氧化硅阻挡层，在打开区域对P型外延进行刻蚀，形成底部位于P型基板内的沟槽；步骤三，湿法去除氧化硅阻挡层，进行热氧化生长场氧；步骤四，光刻和湿法刻蚀去除沟槽内的场氧，并进行小角度的P型离子注入，注入剂量为10¹⁵～10¹⁶cm^‑2，注入能量为5～20keV，与垂直注入的夹角为3～7度；步骤五，淀积非掺杂的多晶硅，沟槽内填满多晶硅；步骤六，回刻去除氮化硅层上面的多晶硅，沟槽内的多晶硅低于基板；步骤七，再次进行热氧化；步骤八，光刻和湿法刻蚀去除沟槽上的热氧化层，对沟槽内的多晶硅垂直注入P型离子，剂量为10¹⁵～10¹⁶cm^‑2，能量为5～35keV；步骤九，去除氮化硅层和氧化硅热氧层，进行高温推进使注入离子扩散；步骤十，进行后续的RFLDMOS器件形成工艺，包括生长栅氧化硅和形成多晶硅栅极、P阱离子注入和高温推进、N型漂移区离子注入、源漏区离子注入、快速热退火、形成金属硅化物和接触孔。