| 发明名称 | 高出光率的LED芯片结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了高出光率的LED芯片结构，具体是提高LED芯片电流扩散、提高最终出光率；采用的技术方案为：高出光率的LED芯片结构，包括发光本体，所述发光本体的上端设置有N电极，所述发光本体的下端设置有P电极，所述发光本体和N电极之间设置有P型金属；本发明广泛应用于LED芯片技术领域。 | ||
| 申请公布号 | CN104851950A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201510147201.9 | 申请日期 | 2015.03.31 |
| 申请人 | 山西南烨立碁光电有限公司 | 发明人 | 沈志强;许智程;李莎莎 |
| 分类号 | H01L33/38(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I |
| 代理机构 | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人 | 胡新瑞 |
| 主权项 | 高出光率的LED芯片结构，其特征在于：包括发光本体（1），所述发光本体（1）的上端设置有N电极（2），所述发光本体（1）的下端设置有P电极（3），所述发光本体（1）和N电极（2）之间设置有P型金属（4）。 | ||
| 地址 | 046000 山西省长治市城区北董新街65号 | ||