高压RF-DC溅射及改善此工艺的膜均匀性和阶梯覆盖率的方法

摘要

本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。

主权项

一种等离子体处理腔室，包括：靶材，具有接触处理区的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；RF电源供应器，耦接所述靶材；DC电源供应器，耦接所述靶材；基板支撑件，具有基板接收表面；磁控管，邻近所述靶材的所述第二表面设置，其中所述磁控管包括：外磁极，包括多个磁铁；以及内磁极，包括多个磁铁，其中所述外磁极和所述内磁极形成开回路磁控管组件。