去除栅极边墙下残留多晶硅的干法刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种去除栅极边墙下残留多晶硅的干法刻蚀方法，该方法在常规的多晶硅引线干法刻蚀工艺流程的末尾，增加一步多晶硅的各向同性过刻蚀，将栅极边墙下的凹口内残留的多晶硅刻蚀掉。本发明通过在多晶硅引线回路刻蚀工艺中加入一步对氧化膜选择比较高、多晶硅刻蚀速率很高的各向同性刻蚀工艺步骤，彻底清除了栅极边墙下凹口内的多晶硅残留，从而提高了器件的电学性能和产能。

主权项

去除栅极边墙下残留多晶硅的干法刻蚀方法，其特征在于，步骤包括：1)刻蚀底部抗反射层；2)刻蚀自然氧化层；3)各向异性地刻蚀多晶硅，形成多晶硅引线；4)多晶硅过刻蚀，将栅极边墙下凹口以外区域残留的多晶硅刻蚀掉；5)多晶硅的各向同性过刻蚀，将栅极边墙下的凹口内残留的多晶硅刻蚀掉。