一种成型无定形碳牺牲栅极的基体的制备方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种成型无定形碳牺牲栅极的基体的制备方法。本发明提出一种成型无定形碳牺牲栅极的基体的制备方法，通过采用高温氧化或高温炉管工艺形成的第一氧化物层和两层无定形碳形成的层叠结构，有助于提高后续无定形碳层和基底的附着，从而增大产品的良率，节约工艺成本，且工艺简单易操作。

主权项

一种成型无定形碳牺牲栅极的基体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一半导体结构的上表面采用高温氧化工艺反应生成第一氧化物层；步骤S2：沉积第一无定形碳层覆盖所述第一氧化物层的上表面，沉积第二氧化物层覆盖所述第一无定形碳层的上表面，沉积第二无定性碳层覆盖所述第二氧化物层的上表面，所述第一氧化层和两层无定形碳形成层叠结构；步骤S3：沉积介电质抗反射层覆盖所述第二无定性碳层的上表面后，旋涂光刻胶覆盖所述介电质抗反射层的上表面；步骤S4：曝光、显影后，去除多余光刻胶形成光阻，并以所述光阻为掩膜刻蚀所述介电质抗反射层，去除所述光阻后，继续刻蚀第二无定形碳层至所述第二氧化层，并去除剩余介电质抗反射层；步骤S5：以剩余第二无定形碳层为掩膜依次刻蚀所述第二氧化层和第一无定形碳层，至所述第一氧化层，去除剩余第二无定形碳层；步骤S6：去除剩余第二氧化层和暴露的第一氧化层；其中，所述半导体结构包括设置在硅衬底上的浅沟槽、N阱和P阱。