复合存储器

摘要

本发明公开了一种复合存储器。该复合存储器包含若干个复合存储单元。该复合存储单元包括：浮栅子单元；以及形成于该浮栅子单元的漏极之上的电阻随机存储器RRAM子单元；其中，RRAM子单元作为存储模块时，浮栅子单元作为选通模块；而RRAM子单元处于低阻态时，浮栅子单元作为存储模块。本发明综合利用了浮栅存储方式的高密度、高可靠性、串扰小、耐受性高等优点和RRAM存储方式的低功耗、高速度、结构简单等优点。

主权项

一种复合存储器，其特征在于，该复合存储器包括存储阵列、RRAM外围控制电路、CTF外围控制电路和选通电路，其中：所述存储阵列包括若干个复合存储单元，该复合存储单元包括：CTF子单元；以及形成于该CTF子单元的漏极之上的电阻随机存储器RRAM子单元；其中，所述RRAM子单元作为存储模块时，所述CTF子单元作为选通模块；而所述RRAM子单元处于低阻态时，所述CTF子单元作为存储模块，沿位线方向的两个复合存储单元共用源极，所述RRAM子单元的一电极与所述CTF子单元的漏极相连接；所述RRAM子单元与所述电极相对应的另一电极作为所述复合存储单元的位线；以及所述CTF子单元的栅极作为所述复合存储单元的字线；所述选通电路，与所述RRAM外围控制电路、浮栅外围控制电路和各存储单元的字/位线相连接，用于实现对预设所述复合存储单元存储模式的选择；所述RRAM外围控制电路，与所述选通电路和RRAM子单元相连接，用于实现对预设复合存储单元中RRAM子单元的编程、擦除或读取；所述CTF外围控制电路，与所述选通电路和CTF子单元相连接，用于实现对预设复合存储单元中CTF子单元的编程、擦除或读取；其中，CTF外围控制电路和RRAM外围控制电路通过选通电路与存储阵列连接，存储阵列的字线通过一个选通开关分别与CTF外围控制电路的字线选通管和RRAM外围控制电路的字线选通管连接，存储阵列的位线通过一个选通开关分别与CTF外围控制电路的位线选通管和RRAM外围控制电路的位线选通管连接，选通开关由选通信号sel控制：一、当需要高速低压存储方式时，控制选通信号sel为高电平“1”，RRAM外围控制电路被选通，此时选择RRAM子单元作为存储模块，CTF子单元此时作为选通模块；二、当需要CTF子单元作为存储模块时，对所有RRAM单元进行Reset操作使其全部变为低阻态，控制选通信号sel置“0”，CTF外围控制电路被选通，此时选择CTF子单元作为存储模块。