| 发明名称 | 一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，包括：采用相同的工艺流程和参数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入，其它结构完全相同PMOSFET，形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET；分别测量P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压；计算得到P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压差值；计算得到P型多晶硅栅电极和N型多晶硅栅电极的功函数差值；将阈值电压差值与功函数差值进行比较；阈值电压差值大于功函数差值，判定发生了硼穿通；阈值电压差值等于功函数差值，判定没有发生硼穿通。本发明的判定PMOSFET器件硼穿通的方法能准确的判定PMOSFET器件是否发生硼穿通。 | ||
| 申请公布号 | CN103035548B | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201110303093.1 | 申请日期 | 2011.10.10 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 罗啸;石晶;钱文生;胡君 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)采用相同的工艺流程和参数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入，其它结构完全相同PMOSFET，形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET；(2)分别测量P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压；(3)计算得到P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压差值；(4)计算得到P型多晶硅栅电极和N型多晶硅栅电极的功函数差值；(5)将阈值电压差值与功函数差值进行比较；阈值电压差值大于功函数差值，判定发生了硼穿通；阈值电压差值等于功函数差值，判定没有发生硼穿通。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||