发明名称 |
一种低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,包括以下步骤:1)将SiC粉末:SiC烧结助剂:无水乙醇:聚乙烯醇混合研磨,干燥,得到SiC多孔陶瓷烧制原料;2)采用挤出成型机制成多通道管状试件,再放入200℃马弗炉中预烧2h,随炉冷却,制得多通道管状SiC多孔陶瓷素胚;3)将步骤2)制得的多通道管状SiC多孔陶瓷素胚,放入管式炉中,在氮气气氛下,按6℃/min的速度升温至200℃,再按9℃/min的速度升温至1200—1300℃,并保温2h,完成后随炉冷却至室温,制得SiC多孔陶瓷。本发明的有益效果在于:具有高连通空隙率及高抗折强度,提升了其使用性能,并且可在较低的温度下烧结,节约了能源。 |
申请公布号 |
CN104030721B |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201410299601.7 |
申请日期 |
2014.06.27 |
申请人 |
武汉工程大学 |
发明人 |
徐慢;陈常连;曹宏;石和彬;沈凡;季家友;王树林;薛俊;王亮;赵静;祝云 |
分类号 |
C04B38/00(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I |
主分类号 |
C04B38/00(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
崔友明 |
主权项 |
一种低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)将SiC粉末:SiC烧结助剂:无水乙醇:聚乙烯醇按质量比100:8~12:10:5混合研磨,再放入恒温干燥箱中干燥,得到SiC多孔陶瓷烧制原料;SiC烧结助剂的制备方法是:将Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、ZrO<sub>2</sub>、H<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>按摩尔比0.5~0.8:0.5~0.8:2~4称料,加入无水乙醇混合研磨,制得SiC烧结助剂;2)将步骤1)制得的SiC多孔陶瓷烧制原料,采用挤出成型机制成多通道管状试件,再放入200℃马弗炉中预烧2h,随炉冷却,制得多通道管状SiC多孔陶瓷素胚;3)将步骤2)制得的多通道管状SiC多孔陶瓷素胚,放入管式炉中,在氮气气氛下,按6℃/min的速度升温至200℃,再按9℃/min的速度升温至1200—1300℃,并保温2h,完成后随炉冷却至室温,制得SiC多孔陶瓷。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号 |