| 发明名称 | 用于锗硅填充材料的成形腔 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体工艺与器件。更具体地，本发明的实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括钻石形腔，该钻石形腔填充有硅和锗材料。还提供了其他实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN104851884A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201510175220.2 | 申请日期 | 2015.04.14 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 周海锋;谭俊 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 徐洁晶 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，包括硅材料；腔区域，位于所述衬底内，所述腔区域以基本上呈钻石形为特征，所述腔区域包括以相对于垂直方向呈大约54.74度角为特征的第一侧壁；以及填充材料，至少部分地位于所述腔区域内，所述填充材料包括硅和锗材料。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||