全固态光电转换器件及其制备方法

摘要

一种全固态光电转换器件及其制备方法。所述的光电转换器件为Zn-ZnO-Ag结构。该光电转换器件的下层为Zn片，中间层为ZnO薄膜，上层为沉积在ZnO薄膜上的Ag薄膜。所述的ZnO薄膜为孔状，是在下层的Zn片上通过阳极氧化生成。所述ZnO薄膜为直径为30～100nm的蓝黑色孔状,厚度为2.6～5.0μm。本发明采用价格低廉的阳极氧化技术实现异质层的制备，通过Ag薄膜改性，获得了全固态的具有太阳光响应的光电转换器件，这种方法为光电转换器件在各种条件下的使用和规模性的生产提供了可能性，进而可以减轻能源压力。

主权项

一种全固态光电转换器件，其特征在于，所述的光电转换器件为Zn‑ZnO‑Ag结构，具体为：该光电转换器件的下层为Zn片，中间层为ZnO薄膜，上层为沉积在ZnO薄膜上的Ag薄膜；所述的ZnO薄膜为孔状，是在下层的Zn片上通过阳极氧化生成；所述的Zn片为全固态光电转换器件的集流层，所述的ZnO薄膜为异质层，所述的Ag薄膜为光响应层。