发明名称 一种超高纯石英陶瓷坩埚的制备方法
摘要 本发明主要公开一种超高纯石英坩埚及其制造方法,主要用于太阳能光伏行业多晶硅铸锭。选用不同粒度的太阳能级纯度的硅粉(6N)为主要原料,通过酸洗进行表面处理后,按比例加入硅溶胶、去离子水、添加剂等制成分散性良好的料浆,采用喷涂、涂刷、滚涂、流延等方式复合在普通石英坩埚内表面,烘干后放在氧化气氛窑炉里氧化烧结后即得到超高纯石英陶瓷坩埚。本发明能够得到超高纯石英坩埚,突破超高纯石英原料的瓶颈,生产超高纯坩埚,彻底消除侧面红区、减少底部红区,提高转换效率,有效降低使用成本。
申请公布号 CN104846436A 申请公布日期 2015.08.19
申请号 CN201510276784.5 申请日期 2015.05.27
申请人 烟台核晶陶瓷新材料有限公司 发明人 谢炎;宾际云;李江岑;穆荣升
分类号 C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C03C17/22(2006.01)I 主分类号 C30B29/06(2006.01)I
代理机构 济南智圆行方专利代理事务所(普通合伙企业) 37231 代理人 刘尔才
主权项 一种超高纯石英陶瓷坩埚的制备方法,其特征在于,其制备过程为:第①步,取普通石英坩埚备用;第②步,选择不同粒径的高纯硅粉,加入相对于高纯硅粉质量的0.5‑1.5倍量的超纯水混合得到高纯硅粉料浆,加入0.002‑0.03倍量的酸溶液,浸泡0.5 ‑144小时,真空烘干后的高纯硅粉待用;第③步,烘干后的高纯硅粉与超纯水、硅溶胶质量配比按1:1~4:1~2混合,加入0.001‑0.1wt%的有机分散剂,充分搅拌5‑10小时后静置2~24小时得到料浆;第④步,采用喷涂、涂刷、滚涂、流延等方式将第③步得到的所述料浆均匀复合在①步得到的普通石英坩埚的内表面,复合层厚度为0.1‑2mm,并于50‑120℃干燥;第⑤步,将步骤④所得到的坩埚放入电窑里烧结,并保持充分的氧化气氛,烧成制度依次进行如下:1~5小时25‑200度,3~10小时200‑600度,5~10小时600‑900度,2~8小时900‑1100度,3~5小时1100‑1200度,随后自然冷却至室温;第⑥步,烧成好的高纯坩埚用超纯水清洗,用微波干燥后包装待用。
地址 265300 山东省烟台市栖霞市迎宾路1928号