| 发明名称 | 用于对层进行处理的方法和用于制造电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 用于对层进行处理的方法和用于制造电子器件的方法。一种用于对层进行处理的方法可以包括：在层上方或在载体上方提供图案化碳层；以及通过图案化碳层向层中或向载体中执行离子注入。 | ||
| 申请公布号 | CN104851785A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201510084949.9 | 申请日期 | 2015.02.17 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | F.布劳恩;B.K.洪;M.施梅德;J.施奈德;M.福格特 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/266(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蒋骏;徐红燕 |
| 主权项 | 一种用于对层进行处理的方法，所述方法包括：在层上方提供图案化碳层；以及通过所述图案化碳层向所述层中执行离子注入。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||