用于阻障层表面钝化的方法和系统

摘要

本发明有关于制造半导体器件的方法和系统。本发明的一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的方法。在一个实施方式中，该方法包含在基板的表面形成该阻障层并对该阻障层施加工艺条件以在该阻障层上形成可除去的钝化表面。该方法进一步包含从该阻障层上除去该钝化表面以及在该阻障层上沉积该填隙铜层。本发明的另一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的集成系统。在一个实施方式中，该集成系统包含至少一个工艺模块，被配置为阻障层沉积和钝化表面形成以及至少另一个工艺模块，被配置为除去钝化表面和在该阻障层上沉积铜。该系统进一步包含至少一个耦合的以便该基板能够在该模块之间传送而大体上不暴露于含氧环境。

主权项

一种在过渡金属阻障层或过渡金属化合物阻障层上沉积填隙铜层用于集成电路金属化以便在其间产生基本上不含氧的界面的方法，包括：(a)在基板的表面形成该阻障层；(b)在该阻障层上形成可除去的钝化表面；(c)从该阻障层上除去该钝化表面；以及(d)在该阻障层上沉积该填隙铜层；其中形成该可除去的钝化表面是在形成该阻障层的解卡持工艺过程中完成的；以及其中该阻障层包含钽或氮化钽。