发明名称 |
超级结器件及制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种超级结器件,电流流动区的所有P型薄层都不和N+硅基片接触,且电流流动区的所有P型薄层的底部和N+硅基片表面之间的距离都大于N型硅外延层和N+硅基片之间的过渡区的厚度。本发明还公开了一种超级结器件的制造方法。本发明能提高器件的反向击穿电压和抗过冲电流能力的一致性,从而能整体提高器件的反向击穿电压和抗过冲电流能力。 |
申请公布号 |
CN103000665B |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201110265394.X |
申请日期 |
2011.09.08 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
肖胜安 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种超级结器件,在一N+硅基片上形成有一N型硅外延层,超级结器件的中间区域为电流流动区,所述电流流动区包含多个交替排列的形成于所述N型硅外延层中的P型薄层和N型薄层;终端保护结构环绕于所述电流流动区的外周,所述终端保护结构包括多个环绕于所述电流流动区的外周且交替排列的形成于所述N型硅外延层中的P型薄层和N型薄层;其特征在于:所述电流流动区的所有所述P型薄层都不和所述N+硅基片接触,且所述电流流动区的所有所述P型薄层的底部和所述N+硅基片表面之间的距离都大于所述N型硅外延层和所述N+硅基片之间的过渡区的厚度。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |