发明名称 温控半导体制冷式高功率微波功率放大器
摘要 本实用新型涉及了一种温控半导体制冷式高功率微波功率放大器,其特征在于:包括微波功率放大器、半导体制冷片组、散热鳍片、散热风扇、温度传感器、控制器,所述半导体制冷片组的冷面紧贴微波功率放大器上表面,半导体制冷片组的热面紧贴散热鳍片底部,所述微波功率放大器外壳上设置温度传感器,所述温度传感器与控制器电连接,所述散热鳍片内设置散热风扇,所述散热风扇与控制器电连接。本实用新型采用半导体制冷芯片阵列对微波功率放大器进行散热,散热效果好,温度相对稳定,为功率放大器的稳定运行提供保障;对温度进行实时监控,从而控制散热风扇的转速,更加省电,也减少了风扇的损耗。
申请公布号 CN204578472U 申请公布日期 2015.08.19
申请号 CN201520313740.0 申请日期 2015.05.15
申请人 成都锐思灵科技有限公司 发明人 何激扬;戈建利
分类号 H03F1/30(2006.01)I;H03F3/20(2006.01)I 主分类号 H03F1/30(2006.01)I
代理机构 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人 胡川
主权项 一种温控半导体制冷式高功率微波功率放大器,其特征在于:包括微波功率放大器、半导体制冷片组、散热鳍片、散热风扇、温度传感器、控制器,所述半导体制冷片组的冷面紧贴微波功率放大器上表面,半导体制冷片组的热面紧贴散热鳍片底部,所述微波功率放大器外壳上设置温度传感器,所述温度传感器与控制器电连接,所述散热鳍片内设置散热风扇,所述散热风扇与控制器电连接。
地址 610000 四川省成都市高新区永丰路52号