| 发明名称 | 一种OTP存储器、存储阵列及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种OTP存储器，包括：具有第一掺杂类型的第一半导体层；第一半导体层上的具有第二掺杂类型的第二半导体层；第二半导体层上的栅氧化层；栅氧化层上的栅电极；其中，栅电极电连接字线，第一半导体层电连接位线。相比基于MOS器件的存储器件，击穿仅发生在栅氧化层，在编程之后读操作的电流分布范围更窄，器件的稳定性和良率更好。此外，其制造工艺更为简单，便于随着工艺尺寸的缩小而缩小，易于与其它工艺集成。 | ||
| 申请公布号 | CN104851885A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201410050250.6 | 申请日期 | 2014.02.13 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李弦;钟汇才 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 王立民;吉海莲 |
| 主权项 | 一种OTP存储器，其特征在于，包括：具有第一掺杂类型的第一半导体层；第一半导体层上的具有第二掺杂类型的第二半导体层；第二半导体层上的栅氧化层；栅氧化层上的栅电极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||