发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
终端区域具有环状区域(LNFLR)。在环状区域(LNFLR),周期性地并排设置有环状的多个P型环层(12a~12f)。环状区域(LNFLR)被分为分别包含多个P型环层(12a~12f)的多个单元。各单元的宽度是固定的。将环状区域内的P型杂质总数设为N、目标耐压设为BV[V]、各单元的宽度设为SandL[μm]、多个单元的数量设为num,并满足下述关系。N≧(M×BV)<sup>γ</sup>,M=10<sup>4</sup>~10<sup>5</sup>,γ=0.55~1.95,SandL×num×Ecri≧2×α×BV,Ecri=2.0~3.0×10<sup>5</sup>[V/cm],α=10<sup>0</sup>~10<sup>1</sup>。多个单元的P型环层(12a~12f)的宽度朝向终端区域的外侧线性地变小。 |
申请公布号 |
CN104854701A |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201280077538.1 |
申请日期 |
2012.12.06 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
陈则;川上刚史;中村胜光 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
何立波;张天舒 |
主权项 |
一种半导体装置,该半导体装置具有大于或等于目标耐压的耐压,在硅衬底设置形成有晶体管的激活区域、和配置在所述激活区域的周围的终端区域,该半导体装置的特征在于,所述终端区域具有环状区域,在所述环状区域,周期性地并排设置环状的多个P型环层,所述环状区域被分为分别包含所述多个P型环层的多个单元,各单元的宽度是固定的,将所述环状区域内的P型杂质总数设为N、所述目标耐压设为BV[V]、各单元的宽度设为SandL[μm]、所述多个单元的数量设为num,并满足下述关系,N≥(M×BV)<sup>γ</sup>、M=10<sup>4</sup>~10<sup>5</sup>、γ=0.55~1.95SandL×num×Ecri≥2×α×BVEcri=2.0~3.0×10<sup>5</sup>[V/cm]、α=10<sup>0</sup>~10<sup>1</sup>所述多个单元的所述P型环层的宽度朝向所述终端区域的外侧线性地变小。 |
地址 |
日本东京 |