发明名称 具有高电容性能的胺基功能化石墨烯量子点/二氧化钛纳米管阵列复合材料的制备方法
摘要 本发明涉及一种具有高电容性能的胺基功能化石墨烯量子点/二氧化钛纳米管阵列复合材料的制备方法。该方法以二氧化钛纳米管、石墨烯量子点前驱物、氨水、水合肼作为反应源,采用原位水热法制备胺基功能化石墨烯量子点/二氧化钛纳米管阵列三维电极。本方法过程简单,所制备的胺基功能化石墨烯量子点/二氧化钛纳米管阵列三维电极具有高电容性能,电流密度为0.5mA/cm<sup>2</sup>时,三维电极的面容量可高达281mF/cm<sup>2</sup>。本发明制备的胺基功能化石墨烯量子点/二氧化钛纳米管阵列三维电极在新能源纳米器件技术领域展示出诱人的应用前景。
申请公布号 CN104843637A 申请公布日期 2015.08.19
申请号 CN201510129409.8 申请日期 2015.03.24
申请人 上海大学 发明人 李珍;秦平;丁友停;李艳峰;杨成帅;潘登余
分类号 B82B3/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 陆聪明
主权项 一种具有高电容性能的胺基功能化石墨烯量子点/二氧化钛纳米管阵列材料的制备方法,其特征在于该方法的具体步骤为:取分散好的用多环芳烃芘经过处理后得到的前驱物30‑40mL,立即放入80mL聚四氟乙烯反应釜中,边搅拌边加入氨水和水合肼的混合液,然后加入制备好的二氧化钛纳米管阵列(1.2cm×1.4cm),在185‑220<sup>o</sup>C温度下反应5‑20h,冷却到室温后,用去离子水将二氧化钛纳米管洗净,烘干,得到胺基功能化石墨烯量子点/二氧化钛纳米管阵列材料。
地址 200444 上海市宝山区上大路99号