| 发明名称 | 掉电存储电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种掉电存储电路，其包括电源单元、开关诊断单元、储存单元及输出单元，所述电源单元输入端电性连接开关诊断单元，所述电源单元输出端电性连接储存单元，所述储存单元电性连接输出单元；所述输出单元为MOS场效应管，所述MOS场效应管的栅极与所述储存单元输出端电性连接，所述MOS场效应管的源极接地，所述MOS场效应管的漏极电性连接基准电压。本实用新型通过将储存单元与MOS场效应管的栅极电性连接，配合电源单元给储存单元进行充电，在电源单元断开后，储存单元仍能使得MOS场效应管处于导通状态，使得MOS场效应管的漏极处于低电平状态，进而使得输出存储的诊断信号仍然可以长时间维持在低电平，实现长时间的掉电保护，并有效降低掉电保护的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN204578815U | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201520086737.X | 申请日期 | 2015.02.06 |
| 申请人 | 法雷奥汽车内部控制（深圳）有限公司 | 发明人 | 施三保 |
| 分类号 | H05B37/02(2006.01)I | 主分类号 | H05B37/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳冠华专利事务所(普通合伙) 44267 | 代理人 | 诸兰芬 |
| 主权项 | 一种掉电存储电路，其特征在于：包括电源单元(10)、开关诊断单元(20)、储存单元(30)及输出单元(40)，所述电源单元(10)输入端电性连接开关诊断单元(20)，所述电源单元(10)输出端电性连接储存单元(30)，所述储存单元(30)电性连接输出单元(40)；所述输出单元(40)为MOS场效应管(Q3)，所述MOS场效应管(Q3)的栅极与所述储存单元(30)输出端电性连接，所述MOS场效应管(Q3)的源极接地，所述MOS场效应管(Q3)的漏极电性连接基准电压(VCC)。 | ||
| 地址 | 518103 广东省深圳市宝安区福永镇怀德村翠岗六区第四幢北方骏亿工业园 | ||