发明名称 | 用于使用STDP和多巴胺信令的三忆阻器突触的方法和系统 | ||
摘要 | 本申请提出了三忆阻器突触的实现,其中,对突触强度的调节是基于尖峰时序相关的可塑性(STDP)和多巴胺信令。 | ||
申请公布号 | CN102971753B | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
申请号 | CN201180033656.8 | 申请日期 | 2011.07.07 |
申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | Y·唐;J·A·莱温;V·阿帕林;V·兰加恩 |
分类号 | G06N3/063(2006.01)I | 主分类号 | G06N3/063(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 张扬;王英 |
主权项 | 一种用于突触前神经元电路和突触后神经元电路之间的连接的突触电路,包括:多个忆阻器,其用于调节所述连接的强度,其中,后面跟着所述突触后神经元电路的尖峰的所述突触前神经元电路的尖峰触发了所述忆阻器中的第一忆阻器的阻抗的减小从而导致所述连接的强度增大,在所述强度增大期间所述忆阻器中的第二忆阻器通过开关连接到所述第一忆阻器,并且在由于所述突触前神经元电路的所述尖峰和所述突触后神经元电路的所述尖峰而引起的所述强度增大之前,改变了所述第二忆阻器的阻抗,以及,后面跟着所述突触前神经元电路的另一尖峰的所述突触后神经元电路的另一尖峰触发了所述第一忆阻器的阻抗的增大从而导致所述连接的强度减小,在所述强度减小期间所述忆阻器中的第三忆阻器通过开关连接到所述第一忆阻器,并且在由于所述突触前神经元电路的所述另一尖峰和所述突触后神经元电路的所述另一尖峰而引起的所述强度减小之前,改变了所述第三忆阻器的阻抗。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚 |