| 发明名称 | R-T-B系烧结磁体 | ||
| 摘要 | 本发明所涉及的R-T-B系烧结磁体其特征在于，所述R-T-B系烧结磁体具有R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B结晶粒，在由相邻的2个以上的R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B结晶粒形成的晶粒边界中具有R-O-C浓缩部，相比R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B结晶粒内，所述R-O-C浓缩部的R、O以及C的浓度都更高，R-O-C浓缩部中O原子相对于R原子的比率(O/R)满足下述式(1)。0.4＜(O/R)＜0.7 (1)。 | ||
| 申请公布号 | CN104137197B | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201380009189.4 | 申请日期 | 2013.02.13 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 三轮将史;中嶋春菜;西川健一;日高彻也;萩原淳;石坂力 |
| 分类号 | H01F1/057(2006.01)I;B22F3/00(2006.01)I;C22C33/02(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;H01F1/08(2006.01)I | 主分类号 | H01F1/057(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 杨琦 |
| 主权项 | 一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于，所述R‑T‑B系烧结磁体具有R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B结晶粒，其中，R是稀土元素的至少1种，T表示包含Fe或者包含Fe和Co的1种以上的过渡金属元素，在由相邻的2个以上的所述R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B结晶粒形成的晶粒边界中，具有R、O以及C的浓度比所述R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B结晶粒内都更高的R‑O‑C浓缩部，所述R‑O‑C浓缩部中O原子相对于R原子的比率O/R在0.41～0.70的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||