| 发明名称 | 用于改善晶片蚀刻不均匀性的系统和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于改善晶片蚀刻不均匀性的系统和方法。衬底处理系统包括处理室，处理室包括介电窗和用于在处理期间支撑衬底的底座。气体供给系统向所述处理室供给气体。线圈邻近所述介电窗布置在所述处理室外侧。射频(RF)源供给RF信号至所述线圈以在所述处理室内产生射频等离子体。N个通量衰减区段布置成与所述线圈相邻的间隔开的模式，其中，N是大于1的整数。 | ||
| 申请公布号 | CN104851793A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201510084901.8 | 申请日期 | 2015.02.16 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 汤姆·坎普;亚瑟·萨托;亚历克斯·帕特森 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 樊英如;李献忠 |
| 主权项 | 一种衬底处理系统，其包括：处理室，其包括介电窗和用于在处理期间支撑衬底的底座；气体供给系统，其被配置成向所述处理室供给气体；线圈，其邻近所述介电窗布置在所述处理室外侧；射频(RF)源，其被配置成供给RF信号至所述线圈以在所述处理室内产生射频等离子体；和N个通量衰减区段，其邻近所述线圈以间隔开的模式布置，其中，N是大于1的整数。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||