多叠层隧道级联半导体激光器

摘要

本发明公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本发明包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的PN结和按规则生长在PN结上侧或/和下侧的超晶格层。本发明采用带有超晶格的特殊隧道结形成隧道级联半导体激光器，大大提高了半导体激光器的输出光功率，且优化后的隧道结使得半导体激光器中隧道结处的内阻及其压降变小；通过在半导体激光器内加入扩展波导，大大减小了光输出的远场发散角；本发明具有较高的经济效益，有利于高功率半导体激光器的小型化应用。

主权项

一种多叠层隧道级联半导体激光器，包括2‑4个垂直连接的单层激光器单元（10）；其特征在于相邻两单层激光器单元（10）之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元（15）生长连接；所述隧道结单元（15）包括高掺杂的PN结和按规则生长在PN结上侧或/和下侧的超晶格层；所述超晶格层为高掺杂型；所述超晶格层为按照半导体晶体生长规则生长于高掺杂的PN结的下侧的P型超晶格层（11）或/和上侧的N型超晶格层（14）；所述PN结由高掺杂的P型半导体层（12）和由δ掺杂技术生成的N型半导体层（13）组成；所述多叠层隧道级联半导体激光器包括三个单层激光器单元（10）；所述多叠层隧道级联半导体激光器中的各单层激光器单元（10）的结构相同或者不同。