发明名称 |
半导体器件及其制造方法以及电源装置 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法以及电源装置。一种半导体器件,包括:设置在栅电极3和栅极绝缘膜2之间或者设置在含Al欧姆电极4和5与Au互连9之间并且在栅电极3之下和含Al欧姆电极4和5之上的电极材料扩散抑制层6,电极材料扩散抑制层6具有其中依次堆叠第一TaN层6A、Ta层6B和第二TaN层6C的结构。 |
申请公布号 |
CN102651394B |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201210044579.2 |
申请日期 |
2012.02.23 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
鎌田阳一 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
蔡胜有;董文国 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:栅电极;栅极绝缘膜;和设置在所述栅电极和所述栅极绝缘膜之间的包括依次堆叠的第一TaN层、Ta层和第二TaN层以抑制所述栅电极的材料扩散进入所述栅极绝缘膜的电极材料扩散抑制层,以及设置在所述栅电极和所述电极材料扩散抑制层之间、以及在所述栅极绝缘膜和所述电极材料扩散抑制层之间的至少之一处的层,所述层包括至少一层,所述至少一层包括选自Pt、Ir、W、Ni、Ti、Au、Cu、Ag、Pd、Zn、Cr、Al、Mn、Ta、Si、TaN、TiN、Ru、CoSi、WSi、NiSi、MoSi、TiSi、AlSi、AlCu和AlSiCu中的任意材料。 |
地址 |
日本神奈川县 |