发明名称 |
麦秆层状碳化硅陶瓷的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种麦秆层状碳化硅陶瓷的制备方法,它的步骤如下:(1)将麦秆进行编织或拼排成为片层,然后将片层麦秆一层层叠起来,在油压机上定型固定,得到叠层麦秆;(2)将叠层麦秆放入酚醛树脂中进行浸渍,制成预制件;(3)将预制件放入真空炉中,在700-1300℃的条件下进行碳化,得到碳化预制件;(4)将真空炉底部铺上Si粉,放入碳化预制件,然后在其碳化预制件顶部撒Si粉,在1450-1800℃的条件下进行渗硅,得到麦秆层状碳化硅陶瓷。本发明通过将麦秆叠层后,通过酚醛树脂进行浸渍,然后通过真空碳化并渗硅的方法获得麦秆层状碳化硅陶瓷。该方法工艺简单、可规模化生产。该麦秆层状陶瓷遗传有麦秆的形貌和结构,拥有较高的强度,可达5-120MPa。 |
申请公布号 |
CN103880427B |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201410069211.0 |
申请日期 |
2014.02.27 |
申请人 |
中原工学院 |
发明人 |
张小立 |
分类号 |
C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/565(2006.01)I |
代理机构 |
郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 |
代理人 |
张绍琳;张真真 |
主权项 |
一种麦秆层状碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,它的步骤如下:(1)将麦秆进行编织或拼排成为片层,然后将片层麦秆一层层叠起来,在油压机上定型固定,得到叠层麦秆;(2)将叠层麦秆放入酚醛树脂中进行浸渍,所述酚醛树脂的质量为制备叠层所用麦秆质量的3‑40%,制成预制件;(3)将预制件放入真空炉中,在700‑1300℃的条件下进行碳化,碳化时间为10‑50min,得到碳化预制件;(4)将真空炉底部铺上Si粉,底部Si粉的质量为碳化预制件质量的2‑15%,放入碳化预制件,然后在其碳化预制件顶部撒Si粉,顶部Si粉的质量为碳化预制件质量的2‑15%,在1450‑1800℃的条件下进行渗硅,渗硅时间为20‑50min,得到麦秆层状碳化硅陶瓷。 |
地址 |
451191 河南省郑州市新郑双湖经济技术开发区淮河路1号 |