发明名称 麦秆层状碳化硅陶瓷的制备方法
摘要 本发明公开了一种麦秆层状碳化硅陶瓷的制备方法,它的步骤如下:(1)将麦秆进行编织或拼排成为片层,然后将片层麦秆一层层叠起来,在油压机上定型固定,得到叠层麦秆;(2)将叠层麦秆放入酚醛树脂中进行浸渍,制成预制件;(3)将预制件放入真空炉中,在700-1300℃的条件下进行碳化,得到碳化预制件;(4)将真空炉底部铺上Si粉,放入碳化预制件,然后在其碳化预制件顶部撒Si粉,在1450-1800℃的条件下进行渗硅,得到麦秆层状碳化硅陶瓷。本发明通过将麦秆叠层后,通过酚醛树脂进行浸渍,然后通过真空碳化并渗硅的方法获得麦秆层状碳化硅陶瓷。该方法工艺简单、可规模化生产。该麦秆层状陶瓷遗传有麦秆的形貌和结构,拥有较高的强度,可达5-120MPa。
申请公布号 CN103880427B 申请公布日期 2015.08.19
申请号 CN201410069211.0 申请日期 2014.02.27
申请人 中原工学院 发明人 张小立
分类号 C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/565(2006.01)I
代理机构 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人 张绍琳;张真真
主权项 一种麦秆层状碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,它的步骤如下:(1)将麦秆进行编织或拼排成为片层,然后将片层麦秆一层层叠起来,在油压机上定型固定,得到叠层麦秆;(2)将叠层麦秆放入酚醛树脂中进行浸渍,所述酚醛树脂的质量为制备叠层所用麦秆质量的3‑40%,制成预制件;(3)将预制件放入真空炉中,在700‑1300℃的条件下进行碳化,碳化时间为10‑50min,得到碳化预制件;(4)将真空炉底部铺上Si粉,底部Si粉的质量为碳化预制件质量的2‑15%,放入碳化预制件,然后在其碳化预制件顶部撒Si粉,顶部Si粉的质量为碳化预制件质量的2‑15%,在1450‑1800℃的条件下进行渗硅,渗硅时间为20‑50min,得到麦秆层状碳化硅陶瓷。
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