| 发明名称 | 导电性膜及其制造方法以及用于该制造方法的溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种导电性膜及其制造方法以及用于该制造方法的溅射靶，该导电性膜具备低电阻且高反射率的特性，并且表面粗糙度较小，且兼备较高的耐硫化性及耐热性。本发明的导电性膜由具有如下成分组成的银合金构成：该银合金含有0.1～1.5原子%的In及Sn中的至少任一种，还含有0.1～3.5原子%的Sb，且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成。该导电性膜适合用作在表面层叠有有机EL元件的透明导电膜，并且进一步在该透明导电膜上层叠有含有机EL层的电致发光层的有机EL元件用的反射电极膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103548421B | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201280024915.5 | 申请日期 | 2012.06.14 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 野中庄平;小见山昌三 |
| 分类号 | H05B33/26(2006.01)I;C22C5/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;G06F3/041(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I | 主分类号 | H05B33/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种导电性膜，其特征在于，由具有如下成分组成的银合金构成：该银合金含有0.1～1.5原子％的In及Sn中的至少任一种，还含有0.1～3.5原子％的Sb，且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，通过使用溅射靶进行溅射而成膜，表面粗糙度低于0.8nm。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||