| 发明名称 | SiC基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种SiC基板的制造方法，具备：牺牲膜形成工序，该工序在SiC基板的表面形成膜厚为表面的最大高低差以上的牺牲膜；牺牲膜平坦化工序，该工序通过机械加工将牺牲膜的表面平坦化；和SiC基板平坦化工序，该工序通过在SiC基板与牺牲膜的蚀刻选择比成为0.5～2.0的范围的条件下进行干式蚀刻，在除去牺牲膜的同时将SiC基板的所述表面平坦化。 | ||
| 申请公布号 | CN104854683A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201380065498.3 | 申请日期 | 2013.11.28 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 佐佐木 有三 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘航;段承恩 |
| 主权项 | 一种SiC基板的制造方法，其特征在于，具备：牺牲膜形成工序，该工序在SiC基板的表面形成膜厚为所述表面的最大高低差以上的牺牲膜；牺牲膜平坦化工序，该工序通过机械加工将所述牺牲膜的表面平坦化；和SiC基板平坦化工序，该工序通过在所述SiC基板与所述牺牲膜的蚀刻选择比成为0.5～2.0的范围的条件下进行干式蚀刻，在除去所述牺牲膜的同时将所述SiC基板的所述表面平坦化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||