发明名称 |
一种提高高反射材料LED光源光通量输出的结构 |
摘要 |
本发明公开了一种提高高反射材料LED光源光通量输出的结构,涉及一种提高LED光源光通量输出的结构,其目的在于提供一种能防止在模压成型过程中出现溢胶现象的提高高反射材料LED光源光通量输出的结构。其技术方案为:包括基板、线路层、GaN LED芯片阵列、荧光粉硅胶层;荧光粉硅胶层、线路层邻接有围坝胶;线路层包括正面线路层、背面线路层和连接线路层,导电过孔内壁的连接线路层之间填充有堵塞件,面向GaN LED芯片阵列的绝缘层表面形成为斜坡反射墙9。本发明适用于提高高反射材料LED光源光通量输出的结构。 |
申请公布号 |
CN104851958A |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201510279251.2 |
申请日期 |
2015.05.28 |
申请人 |
成都斯科泰科技有限公司 |
发明人 |
于耀田;陆皓;杨婷 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 |
代理人 |
杨保刚;赵宇 |
主权项 |
一种提高高反射材料LED光源光通量输出的结构,其特征在于,该结构包括基板、基板上的线路层、基板上的GaN LED芯片阵列、GaN LED芯片阵列之间且存在于GaN LED芯片阵列与线路层之间的荧光粉硅胶层;荧光粉硅胶层、线路层邻接有围坝胶;所述线路层包括所述基板上表面上的正面线路层、基板下表面上的背面线路层、设在基板上的导电过孔内部上并将正面线路层和背面线路层进行电性连接的连接线路层,所述导电过孔内壁的连接线路层之间填充有堵塞件,面向所述GaN LED芯片阵列的绝缘层表面形成为斜坡反射墙。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区高朋大道5号1幢206室 |