| 发明名称 | 相变随机存取存储器的菱形式四电阻器单元 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种形成相变随机存取存储器PRAM单元的方法及相变随机存取存储器PRAM单元的结构。所述PRAM单元包括：底部电极；加热器电阻器，其耦合到所述底部电极；相变材料PCM，其形成于所述加热器电阻器之上且耦合到所述加热器电阻器；及顶部电极，其耦合到所述相变材料。所述相变材料接触所述加热器电阻器的垂直表面的一部分及所述加热器电阻器的水平表面的一部分，以形成所述加热器电阻器与所述相变材料之间的作用区域。 | ||
| 申请公布号 | CN102379009B | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201080014953.3 | 申请日期 | 2010.04.09 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 李霞 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种相变随机存取存储器PRAM单元，其包含：加热器电阻器；底部电极，其耦合到所述加热器电阻器；相变材料PCM，其形成于所述加热器电阻器之上且耦合到所述加热器电阻器，其中所述相变材料PCM包括阶梯形部分；及顶部电极，其耦合到所述相变材料PCM，其中所述顶部电极包括对应于所述相变材料PCM的所述阶梯形部分的阶梯形部分；其中所述相变材料PCM接触所述加热器电阻器的垂直表面的一部分及所述加热器电阻器的水平表面的一部分，以形成所述加热器电阻器与所述相变材料PCM之间的作用区域。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||