形成CMOS全硅化物金属栅的方法

摘要

本发明揭示了一种形成CMOS全硅化物金属栅的方法，该方法包括：提供基底；在所述基底上及所述第一多晶硅栅极和第二多晶硅栅极的侧壁上制备电介质层；沉积金属层；在所述第二多晶硅栅极上制备反射层；进行第一次热退火，使所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极部分金属化；去除所述反射层和在第一次热退火过程之后未反应的所述金属层；以及进行第二次热退火，使所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极全部金属化，形成具有不同的金属浓度但相同的高度的第一全硅化物金属栅极和第二全硅化物金属栅极，得到不同功函数金属栅极。该制备工艺简单，有利于降低生产成本。

主权项

一种形成CMOS全硅化物金属栅的方法，包括：提供基底，所述基底包括第一装置制造区和第二装置制造区，在所述第一装置制造区上形成第一多晶硅栅极，在所述第二装置制造区上形成第二多晶硅栅极；在所述基底上及所述第一多晶硅栅极和第二多晶硅栅极的侧壁上制备电介质层；沉积金属层，以覆盖所述第一多晶硅栅极、第二多晶硅栅极及电介质层；在所述第二多晶硅栅极上制备用于反射热量的反射层，并在所述金属层和所述反射层之间沉积一层阻挡层；进行第一次热退火，所述金属层与所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极反应，使所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极部分金属化，以形成第一硅化物金属栅极和第二硅化物金属栅极，所述反射层反射掉所述第二多晶硅栅极上的一部分热量，形成的所述第一硅化物金属栅极中的金属浓度比所述第二硅化物金属栅极中的金属浓度高；去除所述反射层、阻挡层和在第一次热退火过程之后未反应的所述金属层；以及进行第二次热退火，使所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极全部金属化，以分别形成第一全硅化物金属栅极和第二全硅化物金属栅极，所述第一全硅化物金属栅极和第二全硅化物金属栅极的功函数不同。