发明名称 | 用于背面光刻工艺的对准标记及其对准方法 | ||
摘要 | 本申请公开了一种用于背面光刻工艺的对准标记及其对准方法。这种特殊的对准标记包括:第一部分结构,其由四个对准栅条组形成第一方形形状;以及环绕第一部分结构的第二部分结构,其由四个独立的对准栅条作为四条边形成第二方形形状,第二方形形状与第一方形形状构成回字形且两个方形形状的相应边相互平行。使用该特殊对准标记的对准方法包括:在晶片正面上增加曝光并形成两个或更多个上述特殊对准标记;根据特殊对准标记的位置坐标来识别该特殊对准标记;以及将晶片正面上的对准标记与掩模上的相应对准标记进行对准以用于背面光刻,其中晶片正面上的对准标记与掩模上的相应对准标记是镜像对称的。 | ||
申请公布号 | CN104849970A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
申请号 | CN201410051869.9 | 申请日期 | 2014.02.14 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王娉婷;奚民伟 |
分类号 | G03F9/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 邢德杰 |
主权项 | 一种用于背面光刻工艺的对准标记,包括:第一部分结构,其由四个对准栅条组形成第一方形形状;以及环绕所述第一部分结构的第二部分结构,其由四个独立的对准栅条作为四条边形成第二方形形状,所述第二方形形状与所述第一方形形状构成回字形且两个方形形状的相应边相互平行。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |