发明名称 |
一种三电平功率半导体模块以及三电平拓扑装置 |
摘要 |
本实用新型实施例公开了一种三电平功率半导体模块,用于简化使用通用模块搭建三电平拓扑电路时,各模块之间的复杂连接关系,从而减少基于三电平拓扑电路的装置的体积。本实用新型实施例包括:2个钳位二极管、4个功率开关管以及4个续流二极管,其特征在于:所述三电平功率半导体模块包括:外壳,所述2个钳位二极管、4个功率开关管以及4个续流二极管封装在所述外壳的内部;6个接口端子,所述6个接口端子设置在所述外壳的表面;驱动信号端子,所述驱动信号端子设置在所述外壳的两侧。本实用新型有效减少了使用通用模块搭建三电平电路时各模块之间的复杂连接关系,以及减少模块数量,从而减少基于三电平拓扑电路的装置的体积。 |
申请公布号 |
CN204578341U |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201520164644.4 |
申请日期 |
2015.03.23 |
申请人 |
深圳市英威腾电气股份有限公司 |
发明人 |
申大力 |
分类号 |
H02M1/00(2007.01)I |
主分类号 |
H02M1/00(2007.01)I |
代理机构 |
深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 |
代理人 |
王仲凯 |
主权项 |
一种三电平功率半导体模块,包括2个钳位二极管、4个功率开关管以及4个续流二极管,其特征在于:所述三电平功率半导体模块包括:外壳,所述2个钳位二极管、4个功率开关管以及4个续流二极管封装在所述外壳的内部;6个接口端子,所述6个接口端子设置在所述外壳的表面;驱动信号端子,所述驱动信号端子设置在所述外壳的两侧。 |
地址 |
518055 广东省深圳市南山区龙井高发科技工业园4号厂房 |