半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种能够精度良好地控制晶片的厚度并且提高晶片的面内均匀性的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具有：工序（a），准备由晶片（21）和在晶片（21）上形成的保护构件（24）构成的处理对象；工序（b），在多个点测定保护构件（24）的厚度；以及工序（c），基于多个点的测定结果，设定将晶片（21）和保护构件（24）合起来的厚度的目标值，根据该目标值对晶片（21）进行研磨。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：工序（a），准备由晶片和在所述晶片上形成的保护构件构成的处理对象；工序（b），在多个点测定所述保护构件的厚度；以及工序（c），基于所述多个点的测定结果，设定将所述晶片和所述保护构件合起来的厚度的目标值，根据该目标值对所述晶片进行研磨，所述工序（c）是将所述晶片载置在载物台上，使用配置在所述晶片上的研磨构件对所述晶片进行研磨的工序，所述半导体装置的制造方法还具有：工序（d），测定研磨后的所述晶片内的厚度分布；以及工序（e），基于所述厚度分布，调整所述载物台相对于所述研磨构件的配置角度，所述半导体装置的制造方法还具有：工序（g），向研磨后的所述晶片入射光，测定其反射光；以及工序（h），基于所测定的所述反射光的强度，评价所述研磨构件的研磨性能，在所述工序（h）中，如果判定为研磨性能恶化，则停止下一晶片的处理。