超级结制备工艺方法

摘要

本发明公开了一种超级结制备工艺方法，在深沟槽内填充P型单晶硅形成P型柱时，该P型柱的形成分两步生长，首先生长轻掺杂的第一层P型外延层用于平衡临近P型柱的N型外延层，然后再生长掺杂浓度相对第一层P型外延层浓度高的第二层P型外延层，并且第二层P型外延层高度从底端到沟槽的顶端距离为整个沟槽深度的1/4至1/3。本发明通过改善超级结制备过程中深沟槽填充工艺流程，改变P柱顶端的浓度，进而能够改善器件的雪崩击穿能力。

主权项

一种超级结制备工艺方法，其特征在于：在深沟槽内填充P型单晶硅形成P型柱时，该P型柱的形成分两步生长，首先生长轻掺杂的第一层P型外延层用于平衡临近N型柱的N型外延层，该第一层P型外延层的掺杂浓度依据所使用的硅片衬底表面N型外延层的掺杂浓度确定；然后再生长掺杂浓度相对第一层P型外延层浓度高的第二层P型外延层，并且第二层P型外延层从底端到沟槽的顶端距离为整个沟槽深度的1/4至1/3。