半导体器件及制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及制造方法。所述半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层，第一半导体层包含杂质元素；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层；以及形成在第三半导体层上的栅电极、源电极和漏电极。在半导体器件中，第二半导体层包括杂质扩散区，包含在第一半导体层中的杂质元素扩散在杂质扩散区中，杂质扩散区位于栅电极正下方并且与第一半导体层接触，并且杂质元素使杂质扩散区成为p型杂质扩散区。

主权项

一种半导体器件，包括：形成在衬底上的第一半导体层，所述第一半导体层包含杂质元素；形成在所述第一半导体层上的第二半导体层；形成在所述第二半导体层上的第三半导体层；和形成在所述第三半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，形成在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的生长控制层，所述生长控制层具有位于形成所述栅电极的区域正下方的开口，其中所述第二半导体层包括杂质扩散区，包含在所述第一半导体层中的杂质元素扩散到所述杂质扩散区中，所述杂质扩散区位于所述栅电极正下方并且与所述第一半导体层接触，并且其中所述杂质元素使所述杂质扩散区成为p型杂质扩散区。