单晶硅的制造方法

摘要

本发明涉及一种单晶硅的制造方法，其是使籽晶与收纳于坩埚内并添加有掺杂物的原料熔融液接触，在形成锥部后，接着形成直体部，从而使电阻率为0.05Ωcm以下且结晶方位为(100)的N型单晶硅生长的基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅的制造方法，其特征在于，在所述锥部的形成过程中，调整θ的同时形成所述锥部，使在从所述单晶硅的直径方向观察时将所述单晶硅的成长方向与所述锥部的侧面所构成的锥角设为θ，将所述锥部的侧面的长度设为L时，θ为25°以上45°以下的区域的长度总和相对于该长度L为20％以下。由此，不降低成品率和生产率而能够切实地抑制有错位化。

主权项

一种单晶硅的制造方法，其是使籽晶与收纳于坩埚内并添加有掺杂物的原料熔融液接触，在形成锥部后，接着形成直体部，使电阻率为0.05Ωcm以下且结晶方位(100)的N型单晶硅生长的基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅的制造方法，其特征在于，在所述锥部的形成过程中，在调整θ的同时形成所述锥部，使在从所述单晶硅的直径方向观察时将所述单晶硅的成长方向与所述锥部的侧面所构成的锥角设为θ，将所述锥部的侧面的长度设为L时，θ为25°以上45°以下的区域的长度总和相对于该长度L为20％以下。