发明名称 |
超级结结构、超级结MOS晶体管及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种超级结结构,其p型立柱和n型立柱都呈现非均匀的杂质分布方式。其中n型立柱的杂质分布在纵向上是不均匀的,p型立柱的杂质分布在纵向和横向上都采用两种或更多的掺杂浓度。最终保证接近于n型重掺杂衬底区域中,p型立柱中的p型杂质总量低于n型立柱中的n型杂质总量;接近于器件顶部区域中,p型立柱中的p型杂质总量高于n型立柱中的n型杂质总量。本发明还公开了应用了所述超级结结构的超级结MOS晶体管及其制造方法。本发明所述超级结结构提高了器件关断过程中的耐电流冲击能力,提高了器件耐电流冲击能力的稳定性,且不影响、甚至还会减少器件的比导通电阻。 |
申请公布号 |
CN103035677B |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201110295521.0 |
申请日期 |
2011.09.30 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
肖胜安 |
分类号 |
H01L29/36(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/36(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种超级结结构,其特征是,在n型外延层中具有多根p型立柱,每相邻的两根p型立柱之间的n型外延层作为一根n型立柱;这样在n型外延层中便形成了交替排列的多根p型立柱和n型立柱,即超级结结构;每根p型立柱在纵向上包括多段,其中从上往下的第二段结构在顶部具有一个上宽下窄的凹槽,从上往下的第一段结构就在该凹槽内,也呈上宽下窄;所述p型立柱的每一段中,p型杂质的掺杂浓度是均匀的,从上往下每一段中的掺杂浓度递减;每根n型立柱中的掺杂浓度在纵向上呈不均匀分布,且下方的掺杂浓度大于或等于上方的掺杂浓度;在超级结结构的底部,p型立柱中p型杂质总量小于n型立柱中n型杂质总量;在超级结结构的顶部,p型立柱中p型杂质总量大于n型立柱中n型杂质总量。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |