双极型高反压功率晶体管

摘要

双极型高反压功率晶体管，晶圆片的表面积为7.9mm×7.4mm，低掺杂N型硅集电区上设有长方形的高掺杂P型硅基区，基区上设有高掺杂N型硅发射区，发射区为若干等距离间隔排列的柱状发射区，每个柱状发射区上设有引线孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个柱状发射区四角基区上设有基区引线孔，基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分割开；晶圆片厚度为280±15μm，发射结深度为28μm，集电结的深度为160μm，发射极电极有两个，分别设在晶圆片的上下半区内。本实用新型的版图，使发射极的宽度增加以达到更大的限流，而且面积利用率极高。

主权项

双极型高反压功率晶体管，晶圆片的表面积为7.9mm×7.4mm，低掺杂N型硅集电区上设有长方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区为若干等距离间隔排列的柱状发射区，每个所述柱状发射区上设有孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个所述柱状发射区四角基区上设有基区引线孔，基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分割开；其特征是，所述的晶圆片厚度为280±15μm，发射结深度为28μm，集电结的深度为160μm，所述发射极电极有两个，分别设在晶圆片的上下半区内。