一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法

摘要

本发明公开了一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，包括以下步骤：1、多晶透明陶瓷切割；2、磨边处理；3、磨平、等离子蚀刻表面去损伤层去应力、溶液腐蚀边缘；4、退火；5、抛光；6、清洗；7、镀膜。通过在传统的磨边、磨平工艺后，增加等离子蚀刻表面去损伤层去应力和腐蚀去损伤层去应力工艺，可消除磨边、磨平后多晶透明陶瓷表面损伤的应力层和边缘的砂口，最终大幅度提高多晶透明陶瓷的强度，可使多晶透明陶瓷产品满足各类电子类产品对强度的要求。

主权项

一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1、多晶透明陶瓷切割；2、磨边处理；3、磨平；4、退火；5、抛光；6、清洗；7、镀膜，在步骤3中还包括下述工序：a、等离子蚀刻表面去损伤层去应力，将多晶透明陶瓷半成品平放于等离子蚀刻机的蚀刻腔内，关闭腔盖，将蚀刻腔抽真空至0.001Tor后，充入蚀刻气体和辅助气体，蚀刻气体体积流量为40‑150sccm，辅助气体体积流量为4‑30sccm，偏压设定为‑100‑‑600V，蚀刻时间为1‑6分钟，蚀刻完毕后将多晶透明陶瓷半成品取出，依次进行浸泡清洗和烘干；b、溶液腐蚀边缘，将烘干后的多晶透明陶瓷半成品放入装有浓度为60‑80％的KOH溶液的腐蚀槽中，溶液温度为200‑350℃，腐蚀1‑3小时后将多晶透明陶瓷半成品从槽中取出，静置30分钟，然后依序进行清洗和烘干。