| 发明名称 | 用于保形氮化铝的高增长速率的工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于保形氮化铝的高增长速率的工艺，具体提供了在半导体衬底上沉积保形氮化铝膜的方法。该方法包括：(a)将衬底暴露于含铝前体；(b)清扫所述含铝前体持续不足以基本上去除气相中的所有的所述含铝前体的时间；(c)将衬底暴露于含氮前体以形成氮化铝；(d)清扫含氮前体；以及(e)重复(a)至(d)。获得提高的增长速率和100％的台阶覆盖率和保形性。 | ||
| 申请公布号 | CN104851796A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201510086588.1 | 申请日期 | 2015.02.17 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 尚卡尔·斯娃米纳森;阿南德·班尔及;纳格拉杰·尚卡尔;阿德里安·拉瓦伊 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 樊英如;李献忠 |
| 主权项 | 一种在反应室中处理具有特征的半导体衬底的方法，该方法包括：(a)将所述衬底暴露于含铝前体持续足以使其基本上吸附到所述衬底的表面上的时间；(b)从所述反应室清扫所述含铝前体持续不足以从气相基本上去除所有的所述含铝前体的时间；(c)将所述衬底暴露于含氮前体持续足以驱动热介导的反应以在所述衬底的所述表面上形成氮化铝层的时间，其中，所述氮化铝层对于所述衬底基本上是保形的并具有约<img file="FDA0000674587160000011.GIF" wi="129" he="74" />或更大的厚度；(d)从所述反应室清扫气相中的所述含氮前体；以及(e)重复(a)至(d)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||