使用顶部后钝化技术和底部结构技术的集成电路芯片

摘要

本发明揭示集成电路芯片和芯片封装，其包含所述集成电路芯片的顶部处的过钝化方案和所述集成电路芯片的底部处的底部方案，所述过钝化方案和底部方案使用顶部后钝化技术和底部结构技术。所述集成电路芯片可通过所述过钝化方案或所述底部方案连接到外部电路或结构，例如球栅格阵列(BGA)衬底、印刷电路板、半导体芯片、金属衬底、玻璃衬底或陶瓷衬底。还描述相关的制造技术。

主权项

一种芯片封装，其包括：第一芯片；接触所述第一芯片的第二芯片，其中所述第二芯片包括半导体衬底和钝化层，所述钝化层包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述钝化层的所述第一表面接触所述半导体衬底，所述第二表面接触与所述半导体衬底相对的层，其中，所述半导体衬底包括穿过所述半导体衬底的穿衬底通孔中的金属互连件；所述第一芯片与所述第二芯片之间的第一金属凸块，其中所述第二芯片的与所述半导体衬底相对的所述层内部的缓冲器通过所述第一金属凸块接触所述第一芯片的缓冲器，其中从所述第二芯片的所述缓冲器所见的输出电容小于2pF；以及所述第一芯片与所述第二芯片之间的第二金属凸块，其中所述金属互连件通过所述第二金属凸块接触所述第一芯片。