发明名称 基板衬托器及具有其的沉积装置
摘要 本发明涉及用于半导体元件制造的沉积装置,根据本发明,包括:工艺腔;基板衬托器,其安装于所述工艺腔,在同心圆上具有放置基板的多个台;气体供应构件,其为多个,供应反应气体;净化气体供应构件,其供应净化气体;喷射构件,其具有多个独立的导流板,使得能够在与放置于各个所述台上的基板对应的位置,独立地向基板的整个处理面喷射从所述多个气体供应部和所述净化气体供应构件接受供应的反应气体及净化气体;以及驱动部,其使所述基板衬托器或所述喷射构件旋转,使得所述喷射构件的导流板向各个放置于所述台的多个基板依次旋转。所述基板衬托器包括:上部衬托器,其形成有所述台;下部衬托器,其结合于所述上部衬托器底面,安装有提供用于对基板进行加热的热源的发热体;以及屏蔽板,其与各个所述台对应地安装于所述下部衬托器的底面,用于把向所述下部衬托器底面放射的热能重新向所述下部衬托器侧供应,提高热效率。
申请公布号 CN103026465B 申请公布日期 2015.08.19
申请号 CN201180036834.2 申请日期 2011.03.16
申请人 国际电气高丽株式会社 发明人 朴用城;李成光;金东烈
分类号 H01L21/205(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I 主分类号 H01L21/205(2006.01)I
代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 杨生平;钟锦舜
主权项 一种沉积装置,该沉积装置的特征在于,包括:工艺腔;基板衬托器,其安装于所述工艺腔,在同一平面上放置多个基板;以及喷射构件,其在分别对应于在所述基板衬托器上放置的多个基板的位置,向基板的整个处理面喷射气体;所述基板衬托器包括:上部衬托器,其在上部面形成有放置基板的台;下部衬托器,其结合于所述上部衬托器底面,在与各个所述台对应的区域,安装有提供用于对基板进行加热的热源的发热体;以及屏蔽构件,其安装于所述下部衬托器的底面,用于抑制向所述下部衬托器底面的热能放射,其中,所述基板衬托器在所述下部衬托器与所述屏蔽构件之间,具有用于热传递的密闭的辐射空间。
地址 韩国忠清南道