一种制作鳍式场效应管的翅片结构方法

摘要

本发明公开了一种制作FinFET的翅片结构方法，所制作FinFET的翅片结构，采用了半圆柱体结构，这样，与现有技术的FinFET翅片结构为长方体结构相比，可以提高FinFET翅片结构的散热面积，从而在FinFET工作时提高散热性，防止因为FinFET的翅片结构过热而导致的FinFET停止工作或损坏。

主权项

一种制作鳍式场效应管FinFET的翅片结构方法，该方法包括：提供由体硅区、隐埋氧化层及单晶硅构成的衬底，在衬底上形成具有翅片结构图案的掩膜，在该掩膜的侧壁形成侧墙；以形成有侧墙的具有翅片结构图案的掩膜为遮挡，对衬底中的单晶硅进行部分刻蚀；湿法去除侧墙；继续对掩膜和单晶硅刻蚀，将单晶硅刻蚀完全，在刻蚀的同时掩膜也被部分刻蚀掉，在衬底上形成具有半圆柱体翅片结构，去除剩余的掩膜。