发明名称 一种灵敏放大器
摘要 本发明公开了一种灵敏放大器,包括一个参考电流支路和至少一个存储单元电流支路,所述参考电流支路包括3个PMOS管,编号为P1至P3;2个低阈值NMOS管编号为N1、N2;1个NMOS管编号为N3,1个反相放大器A1。P1和P2源极相连,P1栅极连接A1输出端,P1漏极连接P3源极;P2栅极连接A1输入端和控制信号源一,P2漏极连接N2漏极;P3栅极连接栅极偏置电压一,P3漏极输出电压信号一,与N1漏极连接;N1栅极连接N2栅极和嵌位控制电压一,N1源极输出电压信号二,与N2源极和N3漏极连接;N3栅极连接栅极偏置电压二,N3源极内部接地;本发明灵敏放大器能实现多个存储单元电流支路共用参考电流支路,降低灵敏放大器“读”的功耗。
申请公布号 CN103123800B 申请公布日期 2015.08.19
申请号 CN201110372015.7 申请日期 2011.11.21
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 冯国友
分类号 G11C7/06(2006.01)I 主分类号 G11C7/06(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 一种灵敏放大器,包括一个参考电流支路和至少一个存储单元电流支路,其特征是:所述参考电流支路包括3个PMOS管,编号为P1至P3;2个低阈值NMOS管编号为N1、N2;1个NMOS管编号为N3,1个反相放大器A1;P1和P2源极相连,P1栅极连接A1输出端,P1漏极连接P3源极;P2栅极连接A1输入端和控制信号源一,P2漏极连接N2漏极;P3栅极连接栅极偏置电压一,P3漏极输出电压信号一,与N1漏极连接;N1栅极连接N2栅极和嵌位控制电压一,N1源极输出电压信号二,与N2源极和N3漏极连接;N3栅极连接栅极偏置电压二,N3源极内部接地。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号