伪多晶硅的移除方法及CMOS金属栅极的制作方法

摘要

本发明提供了一种伪多晶硅的移除方法，利用光刻胶作为掩膜对伪多晶硅进行磷离子注入掺杂，且在灰化光刻胶，在冷却前将栅极结构暴露在空气中，并利用硫酸双氧水溶液清洗栅极结构破化大部分多晶硅，最后使用四甲基氢氧化铵溶液对伪多晶硅进行刻蚀，以完全移除伪多晶硅，实现了在去除伪多晶硅的同时，最小化其他半导体结构损失的效果。本发明还提供了一种CMOS金属栅极的制作方法。

主权项

一种伪多晶硅的移除方法，包括：在衬底上形成包括高介电层、伪多晶硅和侧壁氧化层的栅极结构；在衬底上沉积形成夹层绝缘层，并进行化学机械研磨以露出所述伪多晶硅；在所述栅极结构和夹层绝缘层上形成图案化光刻胶，所述图案化光刻胶暴露所述伪多晶硅；以图案化光刻胶为掩膜，对所述伪多晶硅进行磷离子注入掺杂；灰化去除所述图案化光刻胶，在冷却前将栅极结构暴露在空气中，并利用硫酸双氧水溶液清洗栅极结构，以去除部分伪多晶硅；使用四甲基氢氧化铵溶液对剩余的伪多晶硅进行刻蚀，以移除剩余的伪多晶硅。