| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：a）提供半导体衬底，半导体衬底具有逻辑区和存储区，存储区上形成有存储栅极，逻辑区上形成有逻辑栅极材料层；b）在存储栅极的两侧形成第一偏移侧墙；c）对逻辑栅极材料层进行刻蚀，以形成逻辑区的逻辑栅极；d）在逻辑栅极两侧和存储栅极两侧的第一偏移侧墙上均形成第二偏移侧墙；e）在逻辑栅极和存储栅极两侧的第二偏移侧墙上均依次形成第一氧化物层和第一氮化物层，以形成逻辑栅极的侧墙；以及f）在存储栅极两侧的第一氮化物层上形成第二氧化物层，以形成存储栅极的侧墙。该方法能够在逻辑栅极的两侧和存储栅极的两侧分别形成结构不同的侧墙，且制作工艺简单，成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN104851777A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201410053296.3 | 申请日期 | 2014.02.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 平延磊;李剑波 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;付伟佳 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底具有逻辑区和存储区，所述存储区上形成有存储栅极，所述逻辑区上形成有逻辑栅极材料层；b）在所述存储栅极的两侧形成第一偏移侧墙；c）对所述逻辑栅极材料层进行刻蚀，以形成所述逻辑区的逻辑栅极；d）在所述逻辑栅极两侧和所述存储栅极两侧的所述第一偏移侧墙上均形成第二偏移侧墙；e）在所述逻辑栅极和所述存储栅极两侧的所述第二偏移侧墙上均依次形成第一氧化物层和第一氮化物层，以形成所述逻辑栅极的侧墙；以及f）在所述存储栅极两侧的第一氮化物层上形成第二氧化物层，以形成所述存储栅极的侧墙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||