一种半导体器件的制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有具有浅沟槽开口图案的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底形成浅沟槽；在浅沟槽中以及所述硬掩膜层上沉积第一氧化物层；在所述第一氧化物层上沉积第二氧化物层，其中所述第一氧化物层与所述第二氧化物层具有相近的干法蚀刻去除率，第一氧化物层相对于所述第二氧化物层具有更高的湿法蚀刻去除率；图案化第二氧化物层、所述第一氧化物层和所述硬掩膜层，以形成深沟槽开口图案；以具有深沟槽开口图案的所述第二氧化物层、所述第一氧化物层和所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底以形成深沟槽。本发明所述方法能提高器件表面的均一性。

主权项

一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有具有浅沟槽开口图案的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底形成浅沟槽；在所述浅沟槽中以及所述硬掩膜层上沉积第一氧化物层；在所述第一氧化物层上沉积第二氧化物层，其中所述第一氧化物层与所述第二氧化物层具有相近的干法蚀刻去除率，所述第一氧化物层相对于所述第二氧化物层具有更高的湿法蚀刻去除率；图案化所述第二氧化物层、所述第一氧化物层和所述硬掩膜层，以形成深沟槽开口图案；以所述具有深沟槽开口图案的所述第二氧化物层、所述第一氧化物层和所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底以形成深沟槽。